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| 规格书 |
FQD2N60C, FQU2N60C |
| 封装 | Reel |
| 系列 | FQD2N60C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 2,500 |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.7 Ohm @ 950mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 235pF @ 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.9A (Tc) |
| 其他名称 | FQD2N60CTM_WSTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 商品名 | QFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 身高 | 2.39 mm |
| 长度 | 6.73 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.7 Ohms |
| Id - Continuous Drain Current | 1.9 A |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 技术 | Si |
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